Optoelektronische Bildsensoren für wissenschaftliche Anwendunge
InGaAs-PIN-Fotodioden
Entwickelt für großflächige NIR-Leistungsmessung, Gasdetektion, Spektralanalyse, Feuchtemessung und mehr.
Unsere Sensoren decken verschiedene Spektralbereiche ab: 0,9 – 1,7 μm, 0,6 – 1,7 μm, 1,2 – 2,2 μm (auf Anfrage). Mit aktiven Durchmessern von Ø 500 μm bis Ø 5000 μm bieten wir flexible aktive Flächen.
Erhältlich mit verschiedenen Gehäusen T0, T1, T2, CLCC (auf Anfrage), oder als bloßer Chip.
Unsere Sensoren decken verschiedene Spektralbereiche ab: 0,9 – 1,7 μm, 0,6 – 1,7 μm, 1,2 – 2,2 μm (auf Anfrage). Mit aktiven Durchmessern von Ø 500 μm bis Ø 5000 μm bieten wir flexible aktive Flächen.
Erhältlich mit verschiedenen Gehäusen T0, T1, T2, CLCC (auf Anfrage), oder als bloßer Chip.
InGaAs PIN Fotodiode Allgemeines Datenblatt (1.7 μm)
InGaAs PIN Fotodiode (1.7 μm) im TO-Gehäuse
InGaAs PIN Fotodiode (1.7 μm) Chip
InGaAs Quadranten PIN Fotodiode (1.7 μm) Chip
InGaAs PIN Fotodiode T1 (1.7 μm) im TO mit Kühler
VIS-InGaAs PIN Fotodiode (0.6 – 1.7 μm)
InGaAs PIN Fotodiode (0.9 – 2.2 μm)