Optoelektronische Bildsensoren für wissenschaftliche Anwendunge
InGaAs-Detektoren
Zweidimensionale Sensoren zur NIR (Nah-Infrarot) Bildaufnahme, gekühlt und ungekühlt verfügbar.
Spektralbereich 0.9 (0.6) µm bis 1.7 (2.2) µm und Pixelauflösung (Pixelgröße) 64 x 64 (40 µm) bis 1280 x 1024 (15 µm).
1-dimensionale Bildsensoren für den NIR (Nah Infrarot) -Bereich (0.9 µm bis 1.7 µm). Gekühlt und ungekühlt verfügbar. Mit der Pixelauflösung 512 x 1 (25 µm Pixel) oder 2048 x 1 (12.5 µm Pixel) erhältlich.
Für die Herstellung einer leitenden Verbindung (Hybridisierung) zwischen Fotodiodenfeld und Silizium CMOS Ausleseschaltkreis zur Komplettierung einer NIR (Nah-Infrarot) Bildsensor Assemblierung.
Für Pulslaufzeitmessung, LIDAR, Automobil, Prozessautomatisierung. Mit rauscharmer interner Verstärkung durch Elektronenlawine. Spektralbereich: 0.95 – 1.65 μm. Aktiver Durchmesser: Ø 200 μm. Gehäuse-Typen: Bloßer Chip, 6CLCC-Keramik, TO46 mit/ohne Kühler.
Zur NIR-Leistungsmessung, Gasdetektion, Spektralanalyse, Feuchtemessung, etc. Spektralbereiche: 0.9 – 1.7 μm / 0.6 – 1.7 μm / 1.2 – 2.2 μm (auf Anfrage). Aktive Durchmesser: Ø 500 μm / Ø 950 μm / Ø 1850 μm / Ø 3000 μm / Ø 5000 μm. Gehäuse-Typen: Bloßer Chip, TO, T1, T2, CLCC (auf Anfrage).