ANDANTA GMBH
InGaAs-Matrixdetektoren gekühlt
Zweidimensionale NIR (Nah-Infrarot) Bildsensoren verbaut in einem Kovar-Gehäuse mit ein- oder zweistufigem thermoelektrischem Kühler
Optoelektronische Bildsensoren für wissenschaftliche Anwendunge
ANDANTA GMBH
InGaAs-Matrixdetektoren ungekühlt
Zweidimensionale NIR (Nah-Infrarot) Bildsensoren integriert in einem Keramik-Gehäuse ohne Kühler
ANDANTA GMBH
InGaAs-Linear-Sensoren gekühlt
1-dimensionale NIR (Nah-Infrarot) Zeilensensoren verbaut in einem Kovar-Gehäuse mit einstufigem thermoelektrischem Kühler
ANDANTA GMBH
InGaAs-Linear-Sensoren ungekühlt
Eindimensionale NIR (Nah-Infrarot) Zeilensensoren verbaut in einem Keramik-Gehäuse ohne Kühler
ANDANTA GMBH
Si-CCD-Sensoren hochauflösend
Silizium-Bildsensoren für den ultravioletten bis nahen Infrarotbereich, integriert in ein Keramik-Gehäuse ohne Kühler
ANDANTA GMBH
Röntgen Si-CCD
Kundenspezifische Charged Coupled Devices zur direkten Detektion von Röntgenstrahlen
ANDANTA GMBH
Gekrümmte Si-CCD
Konkave oder konvexe Bildsensoren, perfekt auf die individuellen Anforderungen unserer Kunden zugeschnitten
ANDANTA GMBH
Kundenspezifische Si-TDI-Sensoren
Silizium-Time Delay Integration-Bildsensoren als kundenspezifische Sonderentwicklungen
Optoelektronische Bildsensoren für wissenschaftliche Anwendungen
Wir haben mehr als 40 Jahre Erfahrung bei der Entwicklung, Herstellung und dem Vertrieb von optoelektronischen Detektoren und Emittern.
Gern beraten wir Sie bei der Auswahl geeigneter Detektorlösungen oder führen, zusammen mit unseren Partnern, anwendungsspezifische Sonderentwicklungen durch.
Unsere Produkte:
Sensoren zur NIR (Nah-Infrarot) Bildaufnahme. Spektralbereich 0.9 (0.6) µm bis 1.7 (2.2) µm und Pixelaufösung (Pixelgröße) 64 x 64 (40 µm) bis 1280 x 1024 (15 µm).
Für den Einsatz in der NIR (Nah-Infrarot) Spektroskopie, Interferometrie (rechteckige Pixel) und zur Inspektion von Bandmaterialien (quadratische Pixel), 512 x 1 (25 µm Pixel) bis 2048 x 1 (12.5 µm Pixel).
Für die Herstellung einer leitenden Verbindung (Hybridisierung) zwischen Fotodiodenfeld und Silizium CMOS Ausleseschaltkreis zur Komplettierung einer NIR (Nah-Infrarot) Bildsensor Assemblierung.
Die ANDANTA GmbH wurde im Januar 2009 gegründet und ist auf die Entwicklung und Bereitstellung von hochwertigen optoelektronischen Bildsensoren und Detektorfeldern spezialisiert. Unser Fokus liegt darauf, Kameraentwickler und -hersteller, Entwickler und Hersteller von Spektrometern, Teleskopen u.a. wissenschaftlichen optoelektronischen Systemen mit maßgeschneiderten Bildaufnahmelösungen für spezielle Anwendungen in Nischenmärkten zu versorgen.
Unsere Bauelemente sind vermehrt kundenspezifische Sonderentwicklungen, die in enger Zusammenarbeit mit unseren Fertigungspartnern entstehen. Neben diesen individuellen Lösungen bieten wir auch eine Auswahl an Standardprodukten als Ausgangspunkt für eine optimale Detektorlösung an.
1280 x 1024 InGaAs-Matrixsensor ♦ 2048 x 1 InGaAs-Linearsensor ♦ Preissenkung 640 x 512 InGaAs-Matrixsensoren (Badger)
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InGaAs-Matrixsensor mit 1280×1024 Pixelauflösung und 15 μm Pixelgröße
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InGaAs-Linearsensor mit 2048 Pixeln und 12.5 μm Pixelgröße
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Lineare InGaAs-Sensoren ♦ In das Infrarot erweiterte 1.9 µm-InGaAs-Matrizen ♦ Flip-Chip-Bondservice
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VIS-InGaAs-Matrixsensoren in QVGA (320×256) oder VGA (640×512) Auflösung ♦ 64 x 64 InGaAs-Matrix-Sensoren ♦ 4k-Si-TDI-CCD ♦ InGaAs-Lawinen (APD) + PIN + 4-Quadranten Fotodioden
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